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3D Xpoint：Micron与Intel推出新一代闪存技术 速度和读写次数提升千倍 |
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作者：刘江总编 来源：CSDN 火龙果软件 发布于 2015-07-31 |
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两家公司宣称，3D Xpoint（读法是crosspoint）是内存技术自1989年NAND闪存以来几十年最大的突破，产品结合了NAND闪存和DRAM之长，与传统闪存技术相比，容量更大、速度更快、成本和能耗更低、寿命更长，而且已经可以投入生产，明年相关的方案产品就能上市。
比较直观的成果是，采用新技术的拇指大小的盘能装下3.5TB数据。
SeekingAlpha 6月份这篇文章很有料，其中透露这一技术花费数十亿美元，有很多大公司参与其中。Hacker News上也有同学说Micron应该早在2011年就开始投入了。
技术方面的创新主要包括：
交叉阵列结构：存储单元（每单元存储1比特数据）密度高达1200亿，性能更高
可堆叠：目前每晶粒可以存储128Gb，未来可以通过增加层数来提高容量
选择器：存储单元可以通过向选择器发送不同电压来读取，因此不再需要晶体管
单元的快速切换：单元尺寸更小、选择器更快、阵列延迟低加上快速的写入算法，单元的状态切换也比传统技术更快
另外，导线和存储单元所用的材料是全新的。
Intel的宣传资料暴露了野心：自冯诺依曼架构诞生以来，第一次有一种快速、不贵而且非易失的存储技术，可以同时满足内存和存储的需要。这一点如果成真，将对现有系统尤其是数据库产生很大影响，我们很可能真正迎来内存计算时代。
另一方面，Intel也承认，新技术的制造非常复杂，目前刚从Micron的实验生产线转到Intel工厂。不过他们已经习惯类似的挑战。
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